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Autor(en):
Sharp, I. D.; Yi, D. O.; Xu, Q.; Liao, C. Y.; Beeman, J. W.; Liliental-Weber, Z.; Yu, K. M.; Zakharov, D. N.; Ager, J. W.; Chrzan, D. C.; Haller, E. E. 
Titel:
Mechanism of stress relaxation in Ge nanocrystals embedded in SiO[sub 2] 
Zeitschriftentitel:
Appl. Phys. Lett. 
Jahr:
2005 
Band / Volume:
86 
Heft / Issue:
Seitenangaben Beitrag:
063107 
Verlag / Institution:
AIP Publishing 
E-ISSN:
0003-6951 
Publikationsdatum:
01.01.2005