Es werden Elektronenstrahlverdampfungstechniken für die kosteneffiziente Herstellung von HTS Bandleitern der 2. Generation basierend auf REBa2Cu3O7 (RE = Gd, Dy) entwickelt. Es werden Hastelloy C276-Substrate mit einer MgO-Pufferschicht, die mit inclined substrate deposition hergestellt wird, sowie eine zusätzliche LaMnO3-Pufferschicht zwischen MgO und HTS verwendet. Für MgO-Puffer werden eine kritische Temperatur von 89 K und kritische Stromdichte von 1,1 MA/cm² (77 K, Nullfeld) erreicht, bei Verwendung eines zusätzlichen LaMnO3-Puffers 30% höhere Stromdichten.     «

Es werden Elektronenstrahlverdampfungstechniken für die kosteneffiziente Herstellung von HTS Bandleitern der 2. Generation basierend auf REBa2Cu3O7 (RE = Gd, Dy) entwickelt. Es werden Hastelloy C276-Substrate mit einer MgO-Pufferschicht, die mit inclined substrate deposition hergestellt wird, sowie eine zusätzliche LaMnO3-Pufferschicht zwischen MgO und HTS verwendet. Für MgO-Puffer werden eine kritische Temperatur von 89 K und kritische Stromdichte von 1,1 MA/cm² (77 K, Nullfeld) erreicht, bei V...     »

Deposition techniques for the cost-efficient fabrication of second-generation HTS conductors based on REBa2Cu3O(7-x) (RE = Gd, Dy) films are developed using electron beam PVD and liquid-assisted growth. Hastelloy C276 substrates with a MgO buffer layer achieved by inclined substrate deposition and an additional LaMnO3 buffer layer placed between MgO and HTS were used. With the MgO buffer, a critical temperature of 89 K and critical current density of 1.1 MA/cm² (77 K, zero applied field) were achieved. With additional LaMnO3 buffer, up to 30% higher current densities were obtained.     «

Deposition techniques for the cost-efficient fabrication of second-generation HTS conductors based on REBa2Cu3O(7-x) (RE = Gd, Dy) films are developed using electron beam PVD and liquid-assisted growth. Hastelloy C276 substrates with a MgO buffer layer achieved by inclined substrate deposition and an additional LaMnO3 buffer layer placed between MgO and HTS were used. With the MgO buffer, a critical temperature of 89 K and critical current density of 1.1 MA/cm² (77 K, zero applied field) were ac...     »