Charge state control of nitrogen-vacancy (NV) centers in diamond is highly desired for the realization of quantum computers or electric and magnetic field sensors. This work demonstrates new ways of charge state control by change of surface termination or, in more versatile ways, with the help of electrolytic top gates or nanometer-sized in-plane gate structures. The experimental results are supported by simulations based on a theoretical model in which NV charge transition levels are included into the diamond energy bands.     «

Charge state control of nitrogen-vacancy (NV) centers in diamond is highly desired for the realization of quantum computers or electric and magnetic field sensors. This work demonstrates new ways of charge state control by change of surface termination or, in more versatile ways, with the help of electrolytic top gates or nanometer-sized in-plane gate structures. The experimental results are supported by simulations based on a theoretical model in which NV charge transition levels are included i...     »

Die Kontrolle des Ladungszustandes von Stickstoff-Fehlstellen-Komplexen (NV) in Diamant ist unerlässlich bei der Realisierung von Quantencomputern und elektrischen- bzw. Magnetfeldsensoren. Diese Arbeit demonstriert neue Methoden zur Kontrolle des Ladungszustandes durch Änderung der Oberflächenterminierung, mit Hilfe von Elektrolytgattern oder einige Nanometer großer seitlicher Gatterstrukturen. Die experimentellen Ergebnisse werden von Simulationen unterstützt, die auf einem theoretischen Modell basieren, bei dem NV Umladungslevels in die Energiebandstruktur von Diamant integriert werden.     «

Die Kontrolle des Ladungszustandes von Stickstoff-Fehlstellen-Komplexen (NV) in Diamant ist unerlässlich bei der Realisierung von Quantencomputern und elektrischen- bzw. Magnetfeldsensoren. Diese Arbeit demonstriert neue Methoden zur Kontrolle des Ladungszustandes durch Änderung der Oberflächenterminierung, mit Hilfe von Elektrolytgattern oder einige Nanometer großer seitlicher Gatterstrukturen. Die experimentellen Ergebnisse werden von Simulationen unterstützt, die auf einem theoretischen Model...     »