In the scope of the present thesis various aspects for the realization of spintronic applications based on group IV semiconductors are discussed, with an emphasis on the injection and detection of carrier spins. This work comprises a refined material characterization of the magnetic semiconductor GeMn, for which promising ferromagnetism with a high Curie temperature was found in the past. We furthermore present efforts to utilize this material as spin injector for a Si-based optical spintronic device, which include the detailed discussion of key questions concerning the optical injection and detection of spins in Si and Si-based heterostructures.      «

In the scope of the present thesis various aspects for the realization of spintronic applications based on group IV semiconductors are discussed, with an emphasis on the injection and detection of carrier spins. This work comprises a refined material characterization of the magnetic semiconductor GeMn, for which promising ferromagnetism with a high Curie temperature was found in the past. We furthermore present efforts to utilize this material as spin injector for a Si-based optical spintronic d...     »

Im Rahmen dieser Dissertation werden verschiedene Aspekte für die Realisierung von spintronischen Anwendungen diskutiert, die auf Halbleitern der Gruppe IV basieren. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der Injektion und Detektion von Ladungsträgerspins. Die vorliegende Arbeit umfasst zunächst eine genaue Materialanalyse des magnetischen Halbleiters GeMn, dem in der Vergangenheit potentiell interessanter Ferromagnetismus mit hoher Curie Temperatur zugeschrieben wurde. Im Zusammenhang mit Bemühungen, dieses Materialsystem als Spininjektor für ein siliziumbasiertes optisches Bauteil zu nutzen, werden weiterhin grundlegende Fragestellungen zur optischen Injektion und Detektion von Spins in Si und siliziumbasierten Heterostrukturen näher untersucht.     «

Im Rahmen dieser Dissertation werden verschiedene Aspekte für die Realisierung von spintronischen Anwendungen diskutiert, die auf Halbleitern der Gruppe IV basieren. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der Injektion und Detektion von Ladungsträgerspins. Die vorliegende Arbeit umfasst zunächst eine genaue Materialanalyse des magnetischen Halbleiters GeMn, dem in der Vergangenheit potentiell interessanter Ferromagnetismus mit hoher Curie Temperatur zugeschrieben wurde. Im Zusammenhang mit Bemühungen,...     »