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Originaltitel:
GaAs based nanowires on silicon - growth and quantum confinement phenomena
Übersetzter Titel:
GaAs-basierte Nanodrähte auf Silizium - Fabrikation und quantenmechanische Einschlussphänomene
Autor:
Loitsch, Bernhard
Jahr:
2017
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
Fakultät für Physik
Betreuer:
Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.)
Gutachter:
Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.); Müller-Buschbaum, Peter (Prof. Dr.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik; TEC Technik, Ingenieurwissenschaften (allgemein)
TU-Systematik:
TEC 030d; PHY 685d; ELT 300d
Kurzfassung:
In this thesis, we investigate the fabrication and characterization of GaAs-based nanowires and their heterostructures with the aim to realize optically highly efficient emitters with one- and zero-dimensional electronic structure. We develop a versatile reverse-reaction growth scheme to produce ultrathin GaAs nanowires with record low diameters down to ∼ 7 nm and identify that crystal defects in the ultrathin 1D-like nanowires act as quantum dot emission centers.
Übersetzte Kurzfassung:
Im Rahmen dieser Doktorarbeit untersuchen wir die Fabrikation und Charakterisierung von GaAs-basierten Nanodrähten und deren Heterostrukturen, mit dem Ziel hocheffiziente optische Emitter mit einer ein- und nulldimensionalen elektronischen Struktur zur realisieren. Wir entwickeln ein neuartiges und vielseitig anwendbares Wachstumsschema mit welchem wir ultradünne Nanodrahtdurchmesser von ∼ 7 nm erreichen und schlussfolgern, dass Kristalldefekte in den ultradünnen 1D Nanodrähten die Emissionseige...     »
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie
Bandnummer:
202
ISBN:
978-3-946379-02-7
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1343448
Eingereicht am:
30.01.2017
Mündliche Prüfung:
23.02.2017
Letzte Änderung:
22.06.2017
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