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Original title:
Development of electrically contacted GaAs-based nanowire laser diode structures on silicon
Translated title:
Entwicklung elektrisch kontaktierter GaAs-basierter Nanodraht-Laserdiodenstrukturen auf Silizium
Author:
Schreitmüller, Tobias
Year:
2025
Document type:
Dissertation
Faculty/School:
TUM School of Natural Sciences
Institution:
Lehrstuhl für Halbleiter-Nanostrukturen und Quantensysteme (Prof. Finley)
Advisor:
Koblmüller, Gregor (Prof. Dr.)
Referee:
Koblmüller, Gregor (Prof. Dr.); Stutzmann, Martin (Prof. Dr.)
Language:
en
Subject group:
PHY Physik
TUM classification:
TEC 030; PHY 685; ELT 300
Abstract:
This thesis presents the development of GaAs(Sb)-based core-shell nanowire (NW) laser diode structures for integration on silicon photonic platforms. Key contributions include optimized vapor-solid NW growth via molecular beam epitaxy, precise doping control, and fabrication of radial n-i-p heterostructures enabling electrical injection. Comprehensive optical characterization demonstrates low-threshold lasing operation, representing a major step toward practical on-chip light sources.
Translated abstract:
Diese Arbeit stellt die Entwicklung von GaAs(Sb)-basierten Kern-Schale Nanodraht (NW) Laserdiodenstrukturen zur Integration in siliziumphotonische Plattformen vor. Zentrale Beiträge sind das optimierte Dampf-Feststoff NW-Wachstum mittels Molekularstrahlepitaxie, präzise Dotierungssteuerung sowie die Fertigung radialer n-i-p-Heterostrukturen zur elektrischen Injektion. Die optische Charakterisierung zeigt niedrige Laser-Schwellenwerte – ein wichtiger Schritt hin zu integrierten Lichtquellen.
Series:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology
Series volume:
Vol. 268
ISBN:
978-3-946379-68-3
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1784372
Date of submission:
25.06.2025
Oral examination:
25.07.2025
Last change:
07.10.2025
 BibTeX