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- Titel:
Memory cell with silicon-containing carbon switching layer and methods for forming the same
- Dokumenttyp:
- Patent
- Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
- US 8,237,146
- Erfinder:
- Kreupl; Franz (Mountain View, CA), Zhang; Jingyan (Santa Clara, CA), Xu; Huiwen (Sunnyvale, CA)
- Patentanmelder:
- Kreupl; Franz (Mountain View, CA), Zhang; Jingyan (Santa Clara, CA), Xu; Huiwen (Sunnyvale, CA)
- Anmeldeland:
- US
- Veröffentlichungsdatum / Patent:
- 07.08.2012
- Jahr:
- 2012
- Sprache:
- en
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX