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- Dokumenttyp:
- Patent
- Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
- EP 2539936 B1
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ, DE ; XU HUIWEN, US ; ZHANG JINGYAN, US
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ, DE ; XU HUIWEN, US ; ZHANG JINGYAN, US
- Titel:
- METHODS FOR FORMING A MEMORY CELL WITH SILICON-CONTAINING CARBON SWITCHING LAYER
- Anmeldeland:
- EP
- Veröffentlichungsdatum / Patent:
- 06.04.2016
- Jahr:
- 2016
- Sprache:
- en
- Nachgewiesen in:
- Scopus
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX