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Document type:
Patent 
Patent number:
CN 103003971 B 
Inventor:
FU CHU-CHEN; KREUPL FRANZ; NIAN YIBO 弗朗茨·克罗伊普尔, 付初辰, 年一波 
Assignee:
FU CHU-CHEN; KREUPL FRANZ; NIAN YIBO 
Title:
具有包括击穿层的电阻开关层的存储单元 Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer 
Abstract:
一种在三维的读写存储器中的存储器件,包括存储单元。每个存储单元包括与导引元件串联的电阻开关存储元件(RSME)。RSME具有电阻开关层、导电中间层、以及在RSME两端的第一电极和第二电极。击穿层串联地电连接在第二电极与中间层之间。该击穿层在导电状态下保持至少约1-10MΩ的电阻。在存储单元的置位或复位操作中,离子电流在电阻开关层中流动,其有助于开关机制。由于导电中间层的散射,对开关机制没有帮助的电子流被减小,以避免损坏导引元件。提供了用于RSME的不同层的具体材料和材料的组合。 
Patent office:
CN 
Publication date patent:
03.06.2015 
Year:
2015 
Language:
Sonstige 
TUM Institution:
Hybride Elektronische Systeme 
Format:
Text