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Dokumenttyp:
Patent
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
CN 102986048 B
Erfinder:
KREUPL FRANZ; SHRIVASTAVA RITU 弗朗茨·克罗伊普尔, 里图·什里瓦斯塔瓦
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ; SHRIVASTAVA RITU 弗朗茨·克罗伊普尔, 里图·什里瓦斯塔瓦
Titel:
具有电阻开关层以及侧向布置的存储单元
Abstract:
一种在三维的读写存储中的存储器件,包括存储单元。每个存储单元包括电阻开关存储元件(RSME)。RSME具有在导电中间层两侧的第一电阻开关层和第二电阻开关层以及在RSME两端的第一电极和第二电极。可以以侧向布置来设置所述层,例如端对端布置、面对面布置、L形布置或U形布置。在存储单元的置位或复位操作中,在横跨第一电极与第二电极上施加电场。离子电流在电阻开关层中流动,其有助于开关机制。由于导电中间层的散射,对开关机制没有帮助的电子流被减小,以避免损坏导引元件。
Anmeldeland:
CN
Veröffentlichungsdatum / Patent:
01.04.2015
Jahr:
2015
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
 BibTeX