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Originaltitel:
Modeling and Simulation of InAs Nanowire Transistors
Übersetzter Titel:
Modellierung und Simulation von InAs Nanodrähte Transistoren
Autor:
Popescu, Bogdan Vlad
Jahr:
2015
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Betreuer:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.)
Gutachter:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.); Goodnick, Stephen (Prof., Ph.D.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik
TU-Systematik:
TEC 030d
Kurzfassung:
In this work, we have investigated the electron transport, frequency response and optoelectronic properties of state-of-the-art single InAs nanowire field effect transistors, using both a full-band Monte Carlo simulator and an advanced hydrodynamic simulator. We perform a detailed high-frequency analysis, calibrating our simulations with experimental measurements that are successfully reproduced. We are thus able to make predictions about the HF performance and via a small signal analysis we det...     »
Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit haben wir den Elektronentransport, Frequenzantwort und optoelektronische Eigenschaften von InAs Nanodraht- Feldeffekt-Transistoren untersucht , wobei sowohl ein Vollband Monte-Carlo- Simulator als auch ein erweiterter hydrodynamischer Simulator benutzt wurden. Wir führen eine genaue Hochfrequenzanalyse und Kalibrierung unserer Simulationen mit experimentellen Messungen , die erfolgreich reproduziert werden. Damit sind wir in der Lage, Vorhersagen über die HF- Leistung zu machen...     »
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1237273
Eingereicht am:
08.01.2015
Mündliche Prüfung:
13.10.2015
Dateigröße:
18034204 bytes
Seiten:
187
Urn (Zitierfähige URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20151013-1237273-1-9
Letzte Änderung:
11.11.2015
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