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Original title:
Modeling of Leakage Currents in High-k Dielectrics for Future DRAM Application 
Translated title:
Modellierung von Leckströmen in high-k Dielektrika für zukünftige DRAM Applikationen 
Year:
2015 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Advisor:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.) 
Referee:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.); Kreupl, Franz (Prof. Dr.) 
Language:
en 
Subject group:
ELT Elektrotechnik 
TUM classification:
TEC 030d 
Abstract:
In this work, we have investigated the leakage mechanism in high permittivity thin film metal-insulator-metal structures. Employing a novel kinetic Monte Carlo but also a modified drift-diffusion simulator, we analyze the behavior of the leakage current for varying bias and temperature conditions. Once validated, our simulations help us identify the main process responsible for the large reported leaking currents: a multi-step trap assisted tunneling process via oxygen vacancies. Several solutio...    »
 
Translated abstract:
In dieser Arbeit haben wir die Leckmechanismen von high-k Metall-Isolator-Metall Dünnschichtkondesatoren untersucht.Durch den Einsatz eines neuartigen kinetischen Monte-Carlo aber auch eines modifizierten Drift-Diffusions Simulator wird das Verhalten der Leckströme für unterschiedliche Bias- und Temperaturbedingungen analysiert. Nach der Validierung , helfen unseren Simulationen uns das Hauptmechanismus für die großen Leckströme zu erkennen: ein mehrstufiges Defekte-unterstütztes Tunnelprozess d...    »
 
Oral examination:
14.10.2015 
File size:
10054203 bytes 
Pages:
207 
Last change:
15.04.2016