Die kontinuierliche Leistungssteigerung von integrierten Schaltungen, welche zu einem großen Teil auf der Miniaturisierung (Scaling) von MOSFETs beruht, wird in den nächsten Jahren an seine physikalischen Grenzen stoßen. Der Tunnel-Feldeffekt-Transistor (TFET) ist ein neuartiges Bauelement, welches den MOSFET ersetzten könnte. Das Grundprinzip beruht auf der Steuerung von quantenmechanischem Interbandtunneln. In dieser Arbeit wird die Herstellung und Charakterisierung von TFETs mit ultra-kurzen Kanallängen beschrieben. Für die Herstellung der TFETs wurde die so genannte Spacer-Gate-Technologie entwickelt; hierbei handelt es sich um einen planaren, selbstjustierenden Prozess. Die Evaluierung des TFET als MOSFET-Nachfolger wurde dadurch um ein wichtiges Teilstück ergänzt. Mögliche Anwendungsgebiete von Tunnel-Feldeffekt-Transistoren liegen im Low-Power Bereich wie z. B. Speicherchips oder mobile Geräte.     «

Die kontinuierliche Leistungssteigerung von integrierten Schaltungen, welche zu einem großen Teil auf der Miniaturisierung (Scaling) von MOSFETs beruht, wird in den nächsten Jahren an seine physikalischen Grenzen stoßen. Der Tunnel-Feldeffekt-Transistor (TFET) ist ein neuartiges Bauelement, welches den MOSFET ersetzten könnte. Das Grundprinzip beruht auf der Steuerung von quantenmechanischem Interbandtunneln. In dieser Arbeit wird die Herstellung und Charakterisierung von TFETs mit ultra-kurzen...     »

The continuous performance improvement of integrated circuits, which is mostly achieved by scaling MOSFETs, is going to face its physical limit in the forthcoming years. The tunneling field effect transistor (TFET) is a novel device that could possibly replace MOSFETs. Its working principle is based on quantum mechanical interband tunneling. This work describes the fabrication and characterization of TFETs with ultra-short channel lengths. For fabricating these TFETs, the so called spacer-gate technology was developed, which is a planar and self-aligning process. Thereby, the evaluation of the TFET of being a MOSFET successor was extended substantially. Potential applications of tunneling field effect transistors are low power devices such as memory products and mobile applications.     «

The continuous performance improvement of integrated circuits, which is mostly achieved by scaling MOSFETs, is going to face its physical limit in the forthcoming years. The tunneling field effect transistor (TFET) is a novel device that could possibly replace MOSFETs. Its working principle is based on quantum mechanical interband tunneling. This work describes the fabrication and characterization of TFETs with ultra-short channel lengths. For fabricating these TFETs, the so called spacer-gate t...     »