Die Dotiereigenschaften von Bor und Lithium in Diamant wurden mittels Kapazitäts- Spannungsmessungen und spektral aufgelöster Photoleitung charakterisiert. Zusätzlich wurde eine Passivierung von Bor-Akzeptoren durch Wasserstoff nachgewiesen und das thermische Aufbrechen der B-H-Bindungen untersucht. Mittels transienter Kapazitätsspektroskopie wurde ein implantationsinduzierter Defekt in Diamant 1.28 eV über dem Valenzband nachgewiesen und sein Ausheilverhalten studiert. Durch spektral aufgelöste Photoleitung in Kombination mit Elektronenspinresonanz konnte gezeigt werden, daß Silizium in AlGaN Legierungen mit hohem Al-Gehalt vom normalen effektiv-Masse Verhalten abweicht und ein $DX$-Zentrum bildet.     «

Die Dotiereigenschaften von Bor und Lithium in Diamant wurden mittels Kapazitäts- Spannungsmessungen und spektral aufgelöster Photoleitung charakterisiert. Zusätzlich wurde eine Passivierung von Bor-Akzeptoren durch Wasserstoff nachgewiesen und das thermische Aufbrechen der B-H-Bindungen untersucht. Mittels transienter Kapazitätsspektroskopie wurde ein implantationsinduzierter Defekt in Diamant 1.28 eV über dem Valenzband nachgewiesen und sein Ausheilverhalten studiert. Durch spektral aufgelöste...     »