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Originaltitel:
Semiconductor nanowires and their field-effect devices 
Übersetzter Titel:
Halbleiter Nanodrähte und darauf basierende Feldeffekt-Bauelemente 
Jahr:
2011 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.) 
Gutachter:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.); Fontcuberta i Morral, Anna (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Kurzfassung:
Semiconductor nanowires have attracted significant attention in the last decade for their potential in improving existing or enabling novel devices. An important challenge in the field is to reproducibly control the electronic properties and to fabricate high purity nanowires. We investigated different semiconductor materials (GaAs, Ge and Si), designed and realized multiple geometry field-effect transistors and sensors based upon them and characterized their properties, particularly regarding...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Halbleiter-Nanodrähten wurde in den vergangenen zehn Jahren aufgrund ihres Potenzials, bestehende Bauelemente zu verbessern oder die Entwicklung neuartiger Bauelemente zu ermöglichen, erhebliche Aufmerksamkeit zuteil. In diesem Bereich stellt die Reproduzierbarkeit der elektronischen Eigenschaften sowie die Herstellung hoch-reiner Nanodrähte eine bedeutende Herausforderung dar. Verschiedene Halbleitermaterialien (GaAs, Ge und Si) wurden untersucht und Feldeffekttransistoren mit unterschiedli...    »
 
Mündliche Prüfung:
01.02.2011 
Dateigröße:
5418809 bytes 
Seiten:
158 
Letzte Änderung:
22.03.2011