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- Autor(en):
- HOFMANN, J; VEPREK, S; HEINDL, J
- Titel:
- Pseudomorphic growth of ultrathin cubic 3C-SiC films on Si(100) by temperature programmed organometallic chemical vapor deposition
- Zeitschriftentitel:
- JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
- Jahr:
- 1999
- Band / Volume:
- 85
- Heft / Issue:
- 5
- Seitenangaben Beitrag:
- 2652-2657
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