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Originaltitel:
Entwurf und Charakterisierung einer Anlage zur Abscheidung atomar selbstregelnder Schichten 
Übersetzter Titel:
Design and characterization of atomic layer deposition system 
Jahr:
2010 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Hansch, Walter (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.); Hansch, Walter (Prof. Dr.) 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
Atomic Layer Deposition, ALD 
Übersetzte Stichworte:
Atomic Layer Deposition, ALD 
Kurzfassung:
Eine Schlüsselrolle in der zukünftigen CMOS-Herstellung sowie in vielen Bereichen der Nanotechnologie wird der Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) zugeordnet. Diese Arbeit beschäftigt sich mit dem Entwurf eines neuartigen Reaktorkonzeptes und der Realisierung einer kompletten ALD-Anlage. Zwei ALD-Prozesse zur Abscheidung von Aluminiumoxid und Siliziumnitrid werden implementiert und optimiert. Die physikalischen und elektrischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten werden un...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Atomic layer deposition will play a key role in future CMOS manufacturing as well as in many other fields of nanotechnology. The scope of this thesis is the development of a novel reactor concept and its implementation in a complete deposition system. ALD processes for deposition of silicon nitride and alumina were established and optimized. Physical analysis of the deposited films was performed in order to investigate the film composition. The electrical properties were characterized using MIS...    »
 
Mündliche Prüfung:
23.12.2010 
Dateigröße:
10685929 bytes 
Seiten:
125 
Letzte Änderung:
25.02.2011