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Originaltitel:
Detektion von Spannungsfluktuationen in der Adhäsionsregion von Zellen mit Feldeffekttransistoren 
Übersetzter Titel:
Detection of voltage fluctuations in the adhesion region of cells with field effect transistors 
Jahr:
2009 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Hon.-Prof. Dr. Peter Fromherz 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Stichworte:
Zell-Chip-Kopplung, Feldeffektransistor, Neurochip, Neuroprothetik, thermisches Rauschen, Abdichtungsrauschen, Zelladhäsion 
Übersetzte Stichworte:
field effect transistor, neurochip, thermal noise, cell adhesion 
Kurzfassung:
Durch die Verwendung von rauscharmen Elektrolyt-Oxid-Silizium-Feldeffekttransistoren auf einem CMOS-Chip konnten Spannungsfluktuationen im Spalt zwischen Zellmembran und Chipoberfläche detektiert werden. Die theoretische Betrachtung der beitragenden Rauschprozesse berücksichtigte die Einflüsse von Schichtwiderstand, Ionenkanälen und der Bindung von Protonen an die Oxidoberfläche. Im Experiment wurde gezeigt, dass die Bindung von Protonen einen nicht zu vernachlässigenden Beitrag zum Rauschen lie...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Using low-noise electrolyte-oxide-silicon-field effect transistors on a CMOS-chip we were able to detect voltage fluctuations in the cleft formed by cell membrane and chip surface. Theoretical treatment of the contributing noise processes included the influence of the sheet resistance, ion channels and binding of protons to the oxide surface. It was experimentally shown that proton binding makes a significant noise contribution. We could extract spatial maps of the sheet resistance from noise da...    »
 
Letzte Änderung:
12.11.2009