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Originaltitel:
Gate Stack Engineering mit atomar selbstlimitierenden Dielektrika 
Übersetzter Titel:
Gate Stack Engineering with Dielectrics synthesized with Atomic Layer Deposition 
Jahr:
2010 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Hansch, Walter (Prof. Dr.-Ing.) 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
Gate Stack, MOS, high-k, ALD 
Übersetzte Stichworte:
Gate Stack, MOS, high-k, ALD 
Kurzfassung:
Zur Herstellung von Subnanometerschichten verwendet man in der modernen Mikro- und Nanoelektronik atomar selbstlimitierende Abscheideverfahren (Atomic Layer Deposition - ALD). In der vorliegenden Arbeit wird die Verwendung verschiedener ALD-Dielektrika im MOS-Stack von Feldeffekttransistoren (FET) untersucht. Ausgehend von der technologischen Realisierung der MOSFET-Bauelemente wird die Entwicklung der ALD-Prozesse beschrieben. Es wird aufgezeigt, wie sich durch die Prozessführung die elektrisch...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
In modern micro- and nanoelectronics films on the scale of atomic monolayers have to be synthesized .by atomic layer depostion (ALD). In this thesis the application of ALD dielectrics in MOSFET gate stacks is investigated. Starting with production and technology issues concerning the MOSFET devices, the development of the ALD processes is described. The impact of process design on the electric properties of the ALD dielectrics is discussed. Important semiconductor industry benchmarks are derived...    »
 
Schlagworte:
Dielektrikum ; MOS ; Monoschicht 
Letzte Änderung:
03.03.2014