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Original title:
Reales und virtuelles Experiment zur optischen Charakterisierung von SiC-Bauelementen 
Translated title:
Real and Virtual Experiment for the Optical Characterization of SiC devices 
Year:
2011 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Advisor:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Referee:
Hansch, Walter (Prof. Dr.); Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Language:
de 
Subject group:
ELT Elektrotechnik 
Keywords:
Siliziumkarbid, SiC, Bauelementesimulation, optische Messtechnik, pin-Diode 
Translated keywords:
Silicon carbide, SiC, device simulation, optical metrology, pin diode 
Abstract:
Halbleiter-Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) haben vielversprechende Eigenschaften, insbesondere für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenz-Anwendungen. Zur Optimierung derartiger Bauelemente ist ein detailliertes Verständnis ihres elektrothermischen Verhaltens unabdingbar. Anhand einer neuartigen optischen Messapparatur wird das interne elektrothermische Verhalten von SiC-Bauelementen untersucht. Aus dem Vergleich der Ergebnisse des realen Experiments mit denen eines korrespondier...    »
 
Translated abstract:
Semiconductor devices made of siliconcarbide (SiC) exhibit promising properties in particular with regard to high power, high temperature and high frequencies applications. A detailed understanding of the electrothermal behavior of these devices is indispensable for their optimization. By means of an innovative optical measurement set-up the internal electrothermal behavior of SiC devices is investigated. In addition, by comparing the results of the real experiment with those of a corresponding...    »
 
Oral examination:
03.02.2011 
File size:
5299694 bytes 
Pages:
139 
Last change:
18.02.2011