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Originaltitel:
Reales und virtuelles Experiment zur optischen Charakterisierung von SiC-Bauelementen 
Übersetzter Titel:
Real and Virtual Experiment for the Optical Characterization of SiC devices 
Jahr:
2011 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Hansch, Walter (Prof. Dr.); Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
Siliziumkarbid, SiC, Bauelementesimulation, optische Messtechnik, pin-Diode 
Übersetzte Stichworte:
Silicon carbide, SiC, device simulation, optical metrology, pin diode 
Kurzfassung:
Halbleiter-Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) haben vielversprechende Eigenschaften, insbesondere für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenz-Anwendungen. Zur Optimierung derartiger Bauelemente ist ein detailliertes Verständnis ihres elektrothermischen Verhaltens unabdingbar. Anhand einer neuartigen optischen Messapparatur wird das interne elektrothermische Verhalten von SiC-Bauelementen untersucht. Aus dem Vergleich der Ergebnisse des realen Experiments mit denen eines korrespondier...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Semiconductor devices made of siliconcarbide (SiC) exhibit promising properties in particular with regard to high power, high temperature and high frequencies applications. A detailed understanding of the electrothermal behavior of these devices is indispensable for their optimization. By means of an innovative optical measurement set-up the internal electrothermal behavior of SiC devices is investigated. In addition, by comparing the results of the real experiment with those of a corresponding...    »
 
Mündliche Prüfung:
03.02.2011 
Dateigröße:
5299694 bytes 
Seiten:
139 
Letzte Änderung:
18.02.2011