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Originaltitel:
Antimonid-basierte Vertikalresonator-Laserdioden für Wellenlängen oberhalb 2 μm 
Übersetzter Titel:
Antimonide-based vertical-cavity laser diodes for wavelengths above 2 µm 
Jahr:
2010 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Amann, Markus-Christian (Univ.-Prof. Dr.-Ing.) 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik; TEC Technik, Ingenieurwissenschaften (allgemein) 
Stichworte:
GaSb-VCSEL, Tunnelkontakt, GaSb, broken-gap, TDLAS 
Übersetzte Stichworte:
GaSb-VCSEL, tunnel junction, GaSb, broken gap, TDLAS 
Kurzfassung:
Diese Dissertation schlägt ein thermisch optimiertes Gesamtkonzept für eine elektrisch gepumpte, oberflächenemittierende (AlGaIn)(AsSb)-Laserdiode für Wellenlängen über 2µm vor. Die Materialparameter antimonidischer Halbleiter ermöglichen interessante Heterostrukturen, stellen aber auch vor entwurfs- und prozesstechnische Herausforderungen. Die Einzelkomponenten der Laserstruktur werden eingehend untersucht, unter anderem unlegierte Metallkontakte auf n-GaSb und InAsSb/GaSb-„broken-gap“-Tunnelko...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
This dissertation proposes a thermally optimized device concept for an (AlGaIn)(AsSb)-based electrically pumped surface-emitting laser diode for wavelengths above 2µm. The material parameters of antimonidic semiconductors allow the realization of interesting heterostructures but also pose challenges with respect to design and processing. The components contained in the laser structure are examined in depth, e.g. metal contacts to n-GaSb without alloying and InAsSb/GaSb broken gap tunnel junction...    »
 
Letzte Änderung:
11.01.2009