In this work, two methods to obtain reproducibly InAs self-assembled ordered nanostructures have been investigated, both based on Molecular Beam Epitaxy. At first, an original use of the Cleaved Edge Overgrowth (CEO) technique has permitted to controllably grow InAs ordered nanostructures with three different grades of complexity: nanowires (NWR), single and even double quantum dot (QD) chains. The key factor is the preferential nucleation of InAs on AlAs (110) surfaces. Optical experiments present luminescence for both single and ensemble of QDs below 1.4eV, with strong anisotropy along the QD array. First lateral transport investigations through InAs CEO structures have been performed. The acquired know-how has been then combined to free-standing GaAs NWR and for the first time a new NWR-QDs coaxial heterostructure has been realized.     «

In this work, two methods to obtain reproducibly InAs self-assembled ordered nanostructures have been investigated, both based on Molecular Beam Epitaxy. At first, an original use of the Cleaved Edge Overgrowth (CEO) technique has permitted to controllably grow InAs ordered nanostructures with three different grades of complexity: nanowires (NWR), single and even double quantum dot (QD) chains. The key factor is the preferential nucleation of InAs on AlAs (110) surfaces. Optical experiments pres...     »

In dieser Arbeit wurden zwei Methoden, beide basierend auf der Molekularstrahlepitaxie, für die reproduzierbare Herstellung von selbstorganisierten InAs-Nanostrukturen untersucht. Zuerst wurden, durch eine originelle Anwendung des Überwachsens von Spaltflächen, räumlich kontrollierte InAs-Nanostrukturen realisiert, die drei verschiedenen Komplexitätsgraden zuzuordnen sind: Nanodrähte, sowie einfache und doppelte Quantenpunktketten. Wesentlich für dieses Wachstum war die präferenzielle Nukleation der InAs-Schichten auf den (110) AlAs Oberflächen. Optische Untersuchungen demonstrierten schmale und stark polarisierte Lumineszenzlinien für einzelne und mehrere Quantenpunkte. Erstmalig wurden laterale Transporteigenschaften dieser InAs-Nanostrukturen untersucht. Das Wachstum von InAs Quantenpunkten wurde mit GaAs Nanodrähten kombiniert. Damit wurden erstmalig koaxiale Nanodraht-Quantenpunkt Heterostrukturen realisiert.     «

In dieser Arbeit wurden zwei Methoden, beide basierend auf der Molekularstrahlepitaxie, für die reproduzierbare Herstellung von selbstorganisierten InAs-Nanostrukturen untersucht. Zuerst wurden, durch eine originelle Anwendung des Überwachsens von Spaltflächen, räumlich kontrollierte InAs-Nanostrukturen realisiert, die drei verschiedenen Komplexitätsgraden zuzuordnen sind: Nanodrähte, sowie einfache und doppelte Quantenpunktketten. Wesentlich für dieses Wachstum war die präferenzielle Nukleation...     »