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Originaltitel:
Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten 
Übersetzter Titel:
Ultra-Short Channel Tunneling Field Effect Transistors on Silicon and SOI Substrates 
Jahr:
2008 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Hansch, Walter (Prof. Dr.) 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
Tunneln, TFET, Esaki, MOSFET, Scaling 
Übersetzte Stichworte:
Tunneling, TFET, Esaki, MOSFET, Scaling 
Kurzfassung:
Die kontinuierliche Leistungssteigerung von integrierten Schaltungen, welche zu einem großen Teil auf der Miniaturisierung (Scaling) von MOSFETs beruht, wird in den nächsten Jahren an seine physikalischen Grenzen stoßen. Der Tunnel-Feldeffekt-Transistor (TFET) ist ein neuartiges Bauelement, welches den MOSFET ersetzten könnte. Das Grundprinzip beruht auf der Steuerung von quantenmechanischem Interbandtunneln. In dieser Arbeit wird die Herstellung und Charakterisierung von TFETs mit ultra-kurzen...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
The continuous performance improvement of integrated circuits, which is mostly achieved by scaling MOSFETs, is going to face its physical limit in the forthcoming years. The tunneling field effect transistor (TFET) is a novel device that could possibly replace MOSFETs. Its working principle is based on quantum mechanical interband tunneling. This work describes the fabrication and characterization of TFETs with ultra-short channel lengths. For fabricating these TFETs, the so called spacer-gate t...    »
 
Letzte Änderung:
17.01.2012