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Originaltitel:
Development and Electrical Characterization of Air Gap Structures for Advanced Metallization Schemes 
Übersetzter Titel:
Entwicklung und elektrische Charakterisierung von Air Gap Strukturen für die moderne Verdrahtungstechnik 
Jahr:
2007 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Hansch, Walter (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Eisele, Ignaz (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
Air Gap, Semiconductor, BEOL, Back-End-Of-Line, Capacitance, low-k, ultra-low-k, dielectric 
Übersetzte Stichworte:
Air Gap, Halbleiter, low-k, ultra-low-k, Dielektrikum, Verdrahtungstechnik, Halbleiterproduktion, BEOL, Back-End-Of-Line, Kapazität 
Kurzfassung:
The RC-delay and crosstalk noise of the interconnect system are major problems in modern and future high-performance semiconductor chips. For that reason, the coupling capacitance or the k-value of the insulator between the metal lines has to be reduced, which can be achieved by substituting SiO2 by so-called low-k materials or by integration of cavities, called air gaps. In this work, air gaps fabricated by the selective O3/TEOS deposition are considered for reduction of the line-to-l...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Die stetige Verkleinerung der Abmessungen in modernen integrierten Schaltungen und die damit verbundenen längeren Verzögerungszeiten stellen ein immer größeres Problem für die Schaltgeschwindigkeit dar. Diese Arbeit befasst sich mit der Entwicklung, Herstellung und Charakterisierung von Air Gap Strukturen als Dielektrikum zwischen Leiterbahnen, einem möglichen Lösungsansatz zur Verringerung der Koppelkapazitäten. Messungen und Simulationen zeigten, dass durch die Implementierung von Air Gaps ein...    »
 
Mündliche Prüfung:
27.02.2007 
Dateigröße:
7374017 bytes 
Seiten:
154 
Letzte Änderung:
09.05.2007