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Originaltitel:
Ferromagnetische Einzelladungs-Transistoren 
Übersetzter Titel:
Ferromagnetic Single Charge Transistors 
Jahr:
2005 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Gross, Rudolf (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Finley, Jonathan J. (Prof. Ph.D.); Kleber, Manfred (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Stichworte:
Einzelladungstransistor; SET; TMR; Tunnelmagnetowiderstand; Coulomb Blockade 
Übersetzte Stichworte:
Single Charge Transistor; SET; TMR; tunnel magneto resistance; Coulomb blockade 
Kurzfassung:
Ferromagnetische Einzelladungs-Transistoren (F-SET) ermöglichen einen Zugang zum reichhaltigen Wechselspiel zwischen Einzelladungs-Effekten einerseits und tunnelmagnetoresistiven Effekten andererseits. Um dieses Wechselspiel experimentell untersuchen zu können, ist sowohl ein Prozess zu ihrer Herstellung entwickelt, wie auch ein Messaufbau realisiert worden, der eine RMS-Messauflösung von deutlich unter 300 fA ermöglicht. Mit Hilfe dieses Prozesses konnten F-SET hergestellt werden, deren Verhalt...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Ferromagnetic single charge transistors (F-SET) offer an approach to the rich interplay between single charging effects and tunnel magneto resistance effects. To investigate this interplay experimentally, a process for fabricating these devices has been developed and a measurement system has been realized, which offers a resolution far better than 300 fA. With this process F-SETs were fabricated, which show a behaviour in the normal conducting regime accessible by applying a sufficiently strong...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der Technischen Universität München 
Mündliche Prüfung:
26.07.2005 
Dateigröße:
69452843 bytes 
Seiten:
358 
Letzte Änderung:
27.08.2007