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Original title:
Einfluss der Oxidqualität auf die Stabilität von Halbleiterdetektoren bei Röntgenbestrahlung 
Translated title:
Influence of the oxide quality on the stability of semiconductor detectors during x-ray irradiation 
Year:
2004 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Advisor:
Schönfelder, Volker (Prof. Dr.) 
Referee:
Schönfelder, Volker (Prof. Dr.); Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Language:
de 
Subject group:
PHY Physik 
Keywords:
Halbleiterdetektoren; Strahlenhärte; Silziumdriftdetektor; Strahlenschäden; Siliziumdioxid; Röntgenstrahlung; Wasserstoffmodell 
Translated keywords:
Semiconductor detectors; radiation hardness; silicon drift detector; radiation damage; silicon dioxide; X-ray; hydrogen model 
Controlled terms:
Siliciumdetektor; Driftkammer; Röntgenstrahlung; Strahlenschaden 
Abstract:
Untersucht wurden Strahlenschäden, die bei der Bestrahlung von Halbleiterbauelementen mit Röntgenlicht in Siliziumdioxid und an der Grenzfläche Oxid – Silizium entstehen. Die Generation von positiven Oxidladungen und Grenzflächenzuständen kann mit Hilfe eines neuen in der Arbeit vorgestellten kombinierten Modells beschrieben werden. Das Modell lehnt sich an den Ansatz von DiMaria und das Wasserstoffmodell von McLean an. Relevante Größe für die Strahlenhärte eines Oxids ist die Dichte an eingebau...    »
 
Translated abstract:
Radiation damage which occurs during irradiation of semiconductor devices with X-rays in silicon dioxide and at the interface oxide – silicon was investigated. The generation of positive oxide charges and interface states can be described with the help of a new combined model, presented in this work. The model was developed from the attempt of DiMaria and the hydrogen model by McLean. The most important factor for the radiation hardness is the hydrogen density incorporated in the oxide. To avoid...    »
 
Publication :
Universitätsbibliothek der TU München 
Oral examination:
06.02.2004 
File size:
6450385 bytes 
Pages:
196 
Last change:
27.08.2007