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Originaltitel:
New Substrates for Epitaxy of Group III Nitride Semiconductors 
Originaluntertitel:
Challenges and Potential 
Übersetzter Titel:
Neue Substrate für die Epitaxie von Gruppe III-Nitridhalbleitern 
Übersetzter Untertitel:
Challenges und Potential 
Jahr:
2004 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Laubereau, Alfred (Prof. Dr. Dr.h.c.); Friedrich, Harald (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik 
Stichworte:
GaN; pseudosubstrates; Laser induced liftoff; AlN heterojunction; diamond; UV-diode 
Schlagworte (SWD):
Drei-Fünf-Halbleiter; Nitride; Epitaxie; Substrat  
TU-Systematik:
PHY 693d; ELT 280d 
Kurzfassung:
To fully exploit the large application potential of group-III-nitrides, different substrates for GaN-based homo- and heteroepitaxy were investigated. Freestanding HVPE-GaN pseudo-substrates delaminated from sapphire by laser-induced liftoff is presented as an attractive alternative for GaN-based homoepitaxy. The technological applicability of the laser delamination method is further demonstrated in the production of freestanding blue/violet flich-chip bonded InGaN/GaN LEDs. Besides the GaN issue...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Um das große Anwendungspotential der Gruppe-III-Nitride vollständig nutzen zu können, wurden verschiedene Substrate für Homo- und Heteroepitaxie von Gruppe III-Nitriden (z.B. GaN) erforscht. Freistehende Pseudo-Substrate, hergestellt durch einen auf GaN/Saphir angewendeten Laser-Ablöseprozess, stellen eine Alternative für die GaN-basierte Homoepitaxie dar. Außerdem wurde die Flexibilität des Laser-Ablöseverfahrens in der Verarbeitung dünner InGaN/GaN-Heterostrukturen für die Produktion freistehe...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
15.10.2004 
Dateigröße:
14190119 bytes 
Seiten:
216 
Letzte Änderung:
21.08.2007