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Original title:
New Substrates for Epitaxy of Group III Nitride Semiconductors 
Original subtitle:
Challenges and Potential 
Translated title:
Neue Substrate für die Epitaxie von Gruppe III-Nitridhalbleitern 
Translated subtitle:
Challenges und Potential 
Year:
2004 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Advisor:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Referee:
Laubereau, Alfred (Prof. Dr. Dr.h.c.); Friedrich, Harald (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Language:
en 
Subject group:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik 
Keywords:
GaN; pseudosubstrates; Laser induced liftoff; AlN heterojunction; diamond; UV-diode 
Controlled terms:
Drei-Fünf-Halbleiter; Nitride; Epitaxie; Substrat  
TUM classification:
PHY 693d; ELT 280d 
Abstract:
To fully exploit the large application potential of group-III-nitrides, different substrates for GaN-based homo- and heteroepitaxy were investigated. Freestanding HVPE-GaN pseudo-substrates delaminated from sapphire by laser-induced liftoff is presented as an attractive alternative for GaN-based homoepitaxy. The technological applicability of the laser delamination method is further demonstrated in the production of freestanding blue/violet flich-chip bonded InGaN/GaN LEDs. Besides the GaN issue...    »
 
Translated abstract:
Um das große Anwendungspotential der Gruppe-III-Nitride vollständig nutzen zu können, wurden verschiedene Substrate für Homo- und Heteroepitaxie von Gruppe III-Nitriden (z.B. GaN) erforscht. Freistehende Pseudo-Substrate, hergestellt durch einen auf GaN/Saphir angewendeten Laser-Ablöseprozess, stellen eine Alternative für die GaN-basierte Homoepitaxie dar. Außerdem wurde die Flexibilität des Laser-Ablöseverfahrens in der Verarbeitung dünner InGaN/GaN-Heterostrukturen für die Produktion freistehe...    »
 
Publication :
Universitätsbibliothek der TU München 
Oral examination:
15.10.2004 
File size:
14190119 bytes 
Pages:
216 
Last change:
21.08.2007