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Originaltitel:
Spinabhängiger Transport in Übergangsmetalloxiden 
Übersetzter Titel:
Spin dependent transport in transition metal oxides 
Jahr:
2003 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Gross, Rudolf (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Brandt, Martin S. (Priv.-Doz. Dr.); Vogl, Peter (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Stichworte:
Magnetoelektronik; Tunnelmagnetowiderstand; Kolossaler Magnetowiderstand; Manganate; Doppelperowskite 
Übersetzte Stichworte:
Magnetoelectronic; Spintronic; Tunnelling magnetoresistance; TMR; Colossal Magnetoresistance; CMR; Manganite; Double Perowskite 
Schlagworte (SWD):
Übergangsmetalloxide; Magnetowiderstand; Spin 
TU-Systematik:
PHY 741d 
Kurzfassung:
Während die klassische Halbleiterelektronik auf dem Ladungsfreiheitsgrad der Elektronen beruht, nutzt die Magnetoelektronik darüber hinaus auch den Spin. Für Bauelemente der Magnetoelektronik auf Basis des Tunnelmagnetowiderstands benötigt man Materialien mit hoher Spinpolarisation. Während in den üblicherweise benutzten Übergangsmetallen die Spinpolarisation kleiner als 60% ist, können Übergangsmetalloxide eine vollständige Spinpolarisation besitzen. Es wird gezeigt, dass Korngrenzen in Übergan...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
The classical semiconductor electronic is based on the charge degree of freedom. Magnetoelectronics additionally uses the spin degree of freedom. For magnetoelectronic devices based on the tunneling magnetoresistance, materials with a high spin polarization are necessary. Transition metal oxides can have a full spinpolarization compared to transition metals, which have a spinpolarization smaller than 60%. It is shown that grain boundary junctions in transition metal oxides are perfect magnetic t...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
07.07.2003 
Dateigröße:
5470937 bytes 
Seiten:
133 
Letzte Änderung:
20.08.2007