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Original title:
Spinabhängiger Transport in Übergangsmetalloxiden 
Translated title:
Spin dependent transport in transition metal oxides 
Year:
2003 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Advisor:
Gross, Rudolf (Prof. Dr.) 
Referee:
Brandt, Martin S. (Priv.-Doz. Dr.); Vogl, Peter (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Language:
de 
Subject group:
PHY Physik 
Keywords:
Magnetoelektronik; Tunnelmagnetowiderstand; Kolossaler Magnetowiderstand; Manganate; Doppelperowskite 
Translated keywords:
Magnetoelectronic; Spintronic; Tunnelling magnetoresistance; TMR; Colossal Magnetoresistance; CMR; Manganite; Double Perowskite 
Controlled terms:
Übergangsmetalloxide; Magnetowiderstand; Spin 
TUM classification:
PHY 741d 
Abstract:
Während die klassische Halbleiterelektronik auf dem Ladungsfreiheitsgrad der Elektronen beruht, nutzt die Magnetoelektronik darüber hinaus auch den Spin. Für Bauelemente der Magnetoelektronik auf Basis des Tunnelmagnetowiderstands benötigt man Materialien mit hoher Spinpolarisation. Während in den üblicherweise benutzten Übergangsmetallen die Spinpolarisation kleiner als 60% ist, können Übergangsmetalloxide eine vollständige Spinpolarisation besitzen. Es wird gezeigt, dass Korngrenzen in Übergan...    »
 
Translated abstract:
The classical semiconductor electronic is based on the charge degree of freedom. Magnetoelectronics additionally uses the spin degree of freedom. For magnetoelectronic devices based on the tunneling magnetoresistance, materials with a high spin polarization are necessary. Transition metal oxides can have a full spinpolarization compared to transition metals, which have a spinpolarization smaller than 60%. It is shown that grain boundary junctions in transition metal oxides are perfect magnetic t...    »
 
Publication :
Universitätsbibliothek der TU München 
Oral examination:
07.07.2003 
File size:
5470937 bytes 
Pages:
133 
Last change:
20.08.2007