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Original title:
Spin-spin interactions of localized electronic states in semiconductors
Translated title:
Spin-Spin-Wechselwirkungen an lokalisierten Zuständen in Halbleitern
Year:
2003
Document type:
Dissertation
Institution:
Fakultät für Physik
Advisor:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.)
Referee:
Gross, Rudolf (Prof. Dr.); Groß, Axel (Prof. Dr.)
Format:
Text
Language:
en
Subject group:
PHY Physik
Keywords:
ESR; GaN; diamond; a-Ge
Translated keywords:
ESR; GaN; Diamant; a-Ge
Controlled terms:
Halbleiter; Störstelle; Lokalisierter Zustand; Spin-Spin-Wechselwirkung; EDMR
TUM classification:
PHY 696d; PHY 667d; PHY 751d
Abstract:
Spin-spin interactions in various semiconductor materials have been investigated via Electron Spin Resonance measurements. The spin localization radius of "dangling bond" defects in isotopically enriched amorphous germanium was extracted from hyperfine interactions with a large number of nuclear spins. In n-type diamond, hyperfine interactions with the phosphorus nuclear spin enabled the characterization of electrically active centers. Investigations of the magnetic properties and the energy lev...    »
Translated abstract:
Mit Elektronenspinresonanz wurden Spin-Spin-Wechselwirkungen in verschiedenen Halbleitermaterialien untersucht. In isotopenangereichertem amorphem Germanium konnte der Spinlokalisierungsradius von "dangling bond" Zuständen aus Hyperfeinwechselwirkungen mit einer großen Anzahl von Kernspins bestimmt werden. Die Hyperfeinwechselwirkung mit dem Kernspin von Phosphor ermöglichte die Charakterisierung von elektrisch aktiven Zentren in n-Typ Diamant. Die magnetischen Eigenschaften und energetische Lag...    »
Publication :
Universitätsbibliothek der TU München
Date of submission:
22.09.2003
Oral examination:
10.12.2003
File size:
19437201 bytes
Pages:
204
Last change:
21.08.2007
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