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Originaltitel:
Spin-spin interactions of localized electronic states in semiconductors 
Übersetzter Titel:
Spin-Spin-Wechselwirkungen an lokalisierten Zuständen in Halbleitern 
Jahr:
2003 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Gross, Rudolf (Prof. Dr.); Groß, Axel (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Stichworte:
ESR; GaN; diamond; a-Ge 
Übersetzte Stichworte:
ESR; GaN; Diamant; a-Ge 
Schlagworte (SWD):
Halbleiter; Störstelle; Lokalisierter Zustand; Spin-Spin-Wechselwirkung; EDMR 
TU-Systematik:
PHY 696d; PHY 667d; PHY 751d 
Kurzfassung:
Spin-spin interactions in various semiconductor materials have been investigated via Electron Spin Resonance measurements. The spin localization radius of "dangling bond" defects in isotopically enriched amorphous germanium was extracted from hyperfine interactions with a large number of nuclear spins. In n-type diamond, hyperfine interactions with the phosphorus nuclear spin enabled the characterization of electrically active centers. Investigations of the magnetic properties and the energy lev...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Mit Elektronenspinresonanz wurden Spin-Spin-Wechselwirkungen in verschiedenen Halbleitermaterialien untersucht. In isotopenangereichertem amorphem Germanium konnte der Spinlokalisierungsradius von "dangling bond" Zuständen aus Hyperfeinwechselwirkungen mit einer großen Anzahl von Kernspins bestimmt werden. Die Hyperfeinwechselwirkung mit dem Kernspin von Phosphor ermöglichte die Charakterisierung von elektrisch aktiven Zentren in n-Typ Diamant. Die magnetischen Eigenschaften und energetische Lag...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
10.12.2003 
Dateigröße:
19437201 bytes 
Seiten:
204 
Letzte Änderung:
21.08.2007