Benutzer: Gast  Login
Originaltitel:
Optical and Electrical Characterization of InGaAsN used for 1.3 µm lasers 
Übersetzter Titel:
Optische und Elektrische Charakterisierung von InGaAsN für 1,3 µm Laseranwendungen 
Jahr:
2003 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Koch, Frederick (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Koch, Frederick (Prof. Dr.); Amann, Markus-Christian (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Stichworte:
III-V semiconductor compounds; InGaAsN; GaAsN; VCSEL; MBE growth; thermal annealing; photothermal deflection spectroscopy; time-resolved photoluminescence; surface photovoltage; band offsets; microwave cyclotron resonance 
Übersetzte Stichworte:
III-V Halbleiterlegierung; InGaAsN; GaAsN; VCSEL; MBE Wachstum; Ausheilen; PDS; zeitaufgelöste Photolumineszenz; Photospannung; Bandoffsets; Zyklotronresonanz 
Schlagworte (SWD):
Galliumarsenid; Indiumnitrid; Mischkristall; Quantenwell 
TU-Systematik:
PHY 693d; PHY 704d 
Kurzfassung:
This work represents a study of the quaternary semiconductor alloy InGaAsN, which is used in quantum-well lasers. The optical part deals with absorption as well as normal and time-resolved photoluminescence. The results of this part are used for the optimization of InGaAsN growth by molecular beam epitaxy for state-of-the-art 1.3 µm Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSEL). The influence of the thermal annealing on the optical properties of InGaAsN quantum-wells is examined. By means of t...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Diese Arbeit stellt eine Studie der quaternären Halbleiterlegierung InGaAsN dar, die im Quantum Well Laser verwendet wird. Der optische Teil befasst sich mit Absorption sowie normaler und zeitaufgelöster Photolumineszenz. Die Ergebnisse dieses Teils werden für die Optimierung des Wachstums von InGaAsN durch Molekularstrahlepitaxie für erstklassige 1,3 µm Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) benutzt. Der Einfluss des thermischen Ausheilens auf die optischen Eigenschaften der InGaAsN Qua...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
06.08.2003 
Dateigröße:
2140595 bytes 
Seiten:
130 
Letzte Änderung:
21.08.2007