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Originaltitel:
Epitaxial growth of Si and 3C-SiC by Chemical Vapor Deposition 
Übersetzter Titel:
Epitaxiales Wachstum von Silizium und 3C-SiC durch das CVD-Verfahren 
Jahr:
2002 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Hiller, Wolfgang (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
heteroepitaxy; halogenic; organosilicon; precursor; MTS; selective; deposition; 3C-SiC; LPCVD; SiC; OMCVD; silylene; diazide; dihydride 
Übersetzte Stichworte:
Heteroepitaxie; Abscheidung; 3C-SiC; Organosilizium; Siliziumverbindungen; MTS; Precursor; LPCVD; Silylen; Diazid; Dihydrid; SiC 
Schlagworte (SWD):
Silicium; Kristallfläche; Siliciumcarbid; CVD-Verfahren 
TU-Systematik:
ELT 280d; ELT 072d 
Kurzfassung:
This dissertation investigates the heteroepitaxy of 3C-SiC on Si (100)-substrates with an halogenic organosilicon precursor (MTS) and the growth of Si on Si (100)-substrates, with new precursors for selective deposition. In first part of this work, the production of high quality 3C-SiC single crystal films with MTS is described. The MTS precursor is easy to handle and economically interesting as it is a by-product of the silicone industry. Silicon and carbon are present in the MTS molecule in an...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Diese Dissertation behandelt zum einen die heteroepitaktische Abscheidung von 3C-SiC auf Si(100)-Substraten aus halogenierten Organosilizium-Verbindungen und zum anderen die Abscheidung von Si auf Si(100)-Substraten unter Einbeziehung von neuentwickelten Siliziumverbindungen. Im ersten Teil dieser Arbeit werden hochwertige 3C-SiC-Schichten durch die Verwendung des MTS Precursors erzeugt. Diese Verbindung, ein preisgünstiges Nebenprodukt der Silikon-Industrie, erlaubt eine einfache Handhabung des...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
04.12.2002 
Dateigröße:
3249397 bytes 
Seiten:
110 
Letzte Änderung:
20.08.2007