Benutzer: Gast  Login
Originaltitel:
Engineering of Si(111) surfaces by electrochemical deposition of organic layers from diazonium salt solutions 
Übersetzter Titel:
Engineering von Si(111) Oberflächen durch elektrochemische Abscheidung organischer Schichten aus Diazoniumsalz-Lösungen 
Jahr:
2002 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Dittrich, T. (Dr.); Rappich, J. (Dr.) 
Gutachter:
Koch, Frederick (Prof. Ph.D.); Stimming, Ulrich (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Stichworte:
organic monolayer on oxide free Si(111); electrochemical deposition; benzene radical; Photovoltage; Photoluminescence; DFT-calculation; band bending; defects; dipole moment; diffusion constant 
Übersetzte Stichworte:
organische Monolage auf H-terminiertem Si(111); elektrochemische Abscheidung; Benzol-Radikal; Photo-Spannung; Photolumineszenz; DFT-Rechnungen; Bandverbiegung; Defekte; Dipolmoment; Diffusionskonstante 
Schlagworte (SWD):
Silicium; Kristallfläche; Diazoniumverbindungen; Galvanische Abscheidung 
TU-Systematik:
PHY 690d; PHY 658d 
Kurzfassung:
A method is presented for the electrochemical deposition of organic monolayers on Si(111) surfaces from aqueous solutions of diazonium salts. The deposition process at fixed cathodic potential is in-situ monitored by current, photvoltage and photoluminescence measurements. The process is based on the formation of radicals from diazonium ions and reaction of the benzene radicals with the Si surface. There is a self-limitation in current density during the deposition of benzene compounds on atomic...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Eine Methode zur elektrochemischen Abscheidung von organischen Monolagen auf Si(111) Oberflächen aus wässrigen Diazoniumsalz-Lösungen wurde mit Hilfe von Strom-Spannungs-, Photo-Spannungs- und Photolumineszenz-Messungen entwickelt. In-situ Strom-Messungen zeigen eine selbstlimitierte Abscheidung der bei festem Potential gebildeten Benzol-Radikale auf atomar glatten H-terminierten Si(111) Oberflächen, während auf rauhen H-terminierten und auf oxidierten Si(111) Oberflächen dicke organische Schich...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
25.07.2002 
Dateigröße:
6762295 bytes 
Seiten:
131 
Letzte Änderung:
20.08.2007