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Original title:
Optimierung dynamischer elektrischer Eigenschaften von Kompensationsbauelementen 
Translated title:
Optimisation of dynamic electrical characteristics of compensation devices 
Year:
2005 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Advisor:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Referee:
Kolbesen, Bernd (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Language:
de 
Subject group:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik 
Keywords:
Kompensationsbauelement; Leistungstransistor; MOSFET; Avalanche; TRAPATT; Lebensdauer; Silizium; Defekte; Bestrahlung; Kommutierung 
Translated keywords:
Superjunction; Power transistor; MOSFET; Avalanche; TRAPATT; Lifetime; Silicon; Defect; Irradiation; Commutation 
Abstract:
In dieser Arbeit wird mit Hilfe von experimentellen Untersuchungen und Computersimulationen erstmals demonstriert, wie die Avalanchefestigkeit von Leistungshalbleiter-MOSFETs, die nach dem Prinzip der Ladungskompensation hergestellt sind, deutlich erhöht werden kann. Die Optimierung wird an eigens gefertigten Labormustern gezeigt und anschließend auf ein idealisiertes Bauteil übertragen. Außerdem wird in dieser Arbeit zum ersten Mal detailliert der Einfluss von Elektronen-, Protonen- und Heliumi...    »
 
Translated abstract:
In this work it was presented for the first time by means of experimental investigations and computer simulations how the avalanche ruggedness of power semiconductor MOSFETs made according to the principle of charge compensation can be significantly improved. The optimisation is demonstrated at specially produced laboratory samples and subsequently transferred to an idealised component. Moreover, in this work the influence of electron, proton and helium ion irradiation on such devices in order t...    »
 
Publication :
Universitätsbibliothek der Technischen Universität München 
Oral examination:
29.04.2005 
File size:
3377655 bytes 
Pages:
160 
Last change:
25.06.2007