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Originaltitel:
Optimierung dynamischer elektrischer Eigenschaften von Kompensationsbauelementen 
Übersetzter Titel:
Optimisation of dynamic electrical characteristics of compensation devices 
Jahr:
2005 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Kolbesen, Bernd (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik 
Stichworte:
Kompensationsbauelement; Leistungstransistor; MOSFET; Avalanche; TRAPATT; Lebensdauer; Silizium; Defekte; Bestrahlung; Kommutierung 
Übersetzte Stichworte:
Superjunction; Power transistor; MOSFET; Avalanche; TRAPATT; Lifetime; Silicon; Defect; Irradiation; Commutation 
Kurzfassung:
In dieser Arbeit wird mit Hilfe von experimentellen Untersuchungen und Computersimulationen erstmals demonstriert, wie die Avalanchefestigkeit von Leistungshalbleiter-MOSFETs, die nach dem Prinzip der Ladungskompensation hergestellt sind, deutlich erhöht werden kann. Die Optimierung wird an eigens gefertigten Labormustern gezeigt und anschließend auf ein idealisiertes Bauteil übertragen. Außerdem wird in dieser Arbeit zum ersten Mal detailliert der Einfluss von Elektronen-, Protonen- und Heliumi...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
In this work it was presented for the first time by means of experimental investigations and computer simulations how the avalanche ruggedness of power semiconductor MOSFETs made according to the principle of charge compensation can be significantly improved. The optimisation is demonstrated at specially produced laboratory samples and subsequently transferred to an idealised component. Moreover, in this work the influence of electron, proton and helium ion irradiation on such devices in order t...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der Technischen Universität München 
Mündliche Prüfung:
29.04.2005 
Dateigröße:
3377655 bytes 
Seiten:
160 
Letzte Änderung:
25.06.2007