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Originaltitel:
Modellierung und Simulation orientierungsabhängiger Ätzprozesse in Silizium 
Übersetzter Titel:
Modeling and Simulation of Orientation-Dependent Wet-Chemical Etching Processes in Silicon 
Jahr:
2005 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Seidl, Helmut (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
Simulation; Ätze; n naßchemisch; KOH 
Übersetzte Stichworte:
Simulation; wet-chemical; etching; KOH 
Schlagworte (SWD):
Silicium; Nassätzen; Mikrostruktur; Dimension; Numerisches Modell; CAD 
TU-Systematik:
ELT 285d; ELT 035d 
Kurzfassung:
Mit fortschreitender Entwicklung in der Mikrosystemtechnik gewinnt die physikalisch basierte Modellierung und prädiktive Simulation eine strategische Bedeutung, denn der Einsatz leistungsfähiger CAD-Werkzeuge reduziert die Zahl und verkürzt die Dauer der Entwicklungszyklen, die neue Mikrosystemtechnik-Komponenten von der ersten Idee bis zum funktionierenden Prototyp durchlaufen. Die besondere Bedeutung der Modellierung und Simulation von Herstellungsprozessen für mikrostrukturierte Bauelemente b...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Physically based modeling and predictive simulation is getting more and more important for the design of modern MEMS-devices, since the application of CAD-tools reduces the design and fabrication cycles during the design and development process of new microstructures and systems. Modeling and simulation of the fabrication process provides the geometrical and physical description of a complete device. Therefore, an accurate simulation on the process level is the basis and prerequisite for a relia...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der Technischen Universität München 
Mündliche Prüfung:
15.04.2005 
Dateigröße:
5273430 bytes 
Seiten:
191 
Letzte Änderung:
23.07.2010