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Original title:
Complementary Tunneling-FETs (CTFET) in CMOS Technology 
Translated title:
Komplementäre Tunnel Feldeffekttransistoren (CTFET) in CMOS-Technologie 
Year:
2003 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Advisor:
Hansch, Walter (Prof. Dr.) 
Referee:
Hansch, Walter (Prof. Dr.); Eisele, Ignaz (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Language:
en 
Subject group:
ELT Elektrotechnik 
Keywords:
Tunneling field effect transistor; Band-to-band tunneling; Short channel effects; Reactive Ion Etching; Numerical simulation 
Translated keywords:
Tunnel Feldeffekttransistor; Band-Band Tunneln; Kurzkanal-Effekt; Reaktives Ionen Ätzen; Simulation 
TUM classification:
ELT 321d 
Abstract:
The short channel effects (SCE) are becoming serious problems as MOSFET scales down to the deep sub-micron dimension. For this reason, a silicon tunneling transistor called TFET is investigated. The device and process simulations are carried out to investigate physical principle, optimized fabrication conditions, and future structure of TFET. With the improved technologies, the complementary TFETs are realized on the single silicon wafer. The room temperature gate-controlled tunneling is realize...    »
 
Translated abstract:
Für zukünftige MOSFET-Generationen treten neben technologischen Problemen große Schwierigkeiten aufgrund parasitärer Leckströme auf. Als alternatives ULSI-Bauelement ist in dieser Arbeit ein MOS-gesteuerter Tunneltransistor (TFET) untersucht worden. In Simulationen sind die Herstellungssequenzen, verschiedene Bauelementgeometrien und die resultierenden elektrischen Eigenschaften optimiert worden. In CMOS-Technologie wurden auf einem Si-wafer komplementäre TFETs hergestellt und charakterisiert. D...    »
 
Publication :
Universitätsbibliothek der TU München 
Oral examination:
19.12.2003 
File size:
6448439 bytes 
Pages:
184 
Last change:
20.06.2007