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Originaltitel:
Complementary Tunneling-FETs (CTFET) in CMOS Technology 
Übersetzter Titel:
Komplementäre Tunnel Feldeffekttransistoren (CTFET) in CMOS-Technologie 
Jahr:
2003 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Hansch, Walter (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Hansch, Walter (Prof. Dr.); Eisele, Ignaz (Prof. Dr.) 
Format:
Text 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
Tunneling field effect transistor; Band-to-band tunneling; Short channel effects; Reactive Ion Etching; Numerical simulation 
Übersetzte Stichworte:
Tunnel Feldeffekttransistor; Band-Band Tunneln; Kurzkanal-Effekt; Reaktives Ionen Ätzen; Simulation 
TU-Systematik:
ELT 321d 
Kurzfassung:
The short channel effects (SCE) are becoming serious problems as MOSFET scales down to the deep sub-micron dimension. For this reason, a silicon tunneling transistor called TFET is investigated. The device and process simulations are carried out to investigate physical principle, optimized fabrication conditions, and future structure of TFET. With the improved technologies, the complementary TFETs are realized on the single silicon wafer. The room temperature gate-controlled tunneling is realize...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Für zukünftige MOSFET-Generationen treten neben technologischen Problemen große Schwierigkeiten aufgrund parasitärer Leckströme auf. Als alternatives ULSI-Bauelement ist in dieser Arbeit ein MOS-gesteuerter Tunneltransistor (TFET) untersucht worden. In Simulationen sind die Herstellungssequenzen, verschiedene Bauelementgeometrien und die resultierenden elektrischen Eigenschaften optimiert worden. In CMOS-Technologie wurden auf einem Si-wafer komplementäre TFETs hergestellt und charakterisiert. D...    »
 
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München 
Mündliche Prüfung:
19.12.2003 
Dateigröße:
6448439 bytes 
Seiten:
184 
Letzte Änderung:
20.06.2007