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- Dokumenttyp:
- Patent
- Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
- US 8737111 B2
- Erfinder:
- Kreupl; Franz (Munchen, DE), Costa; Xiying (San Jose, CA), Kai; James (Santa Clara, CA), Makala; Raghuveer S. (Sunnyvale, CA)
- Patentanmelder:
- Kreupl; Franz (Munchen, DE), Costa; Xiying (San Jose, CA), Kai; James (Santa Clara, CA), Makala; Raghuveer S. (Sunnyvale, CA)
- Titel:
- Memory cell with resistance-switching layers
- Anmeldeland:
- US
- Veröffentlichungsdatum / Patent:
- 27.05.2014
- Jahr:
- 2014
- Sprache:
- en
- Nachgewiesen in:
- Scopus
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX