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- Originaltitel:
- Group III-Nitride Nanowires for Optoelectronic Control of Nitrogen-Vacancy Centers in Diamond
- Übersetzter Titel:
- Gruppe-III-Nitrid Nanodrähte für die optoelektronische Kontrolle von Stickstoff-Fehlstellen-Zentren in Diamant
- Autor:
- Hetzl, Martin
- Jahr:
- 2018
- Dokumenttyp:
- Dissertation
- Fakultät/School:
- Fakultät für Physik
- Betreuer:
- Stutzmann, Martin (Prof. Dr.)
- Gutachter:
- Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.)
- Sprache:
- en
- Fachgebiet:
- PHY Physik
- Stichworte:
- nanowires, group III-nitrides, nitrogen-vacancy centers, diamond, heterodiodes
- Übersetzte Stichworte:
- Gruppe-III-Nitride, Stickstoff-Fehlstellen-Zentren, Diamant, Heterodioden
- TU-Systematik:
- PHY 685d; ELT 300d
- Kurzfassung:
- Nanowires are used to overcome limitations of epitaxial thin film growth, and to improve the crystal quality of semiconductors. Here, group III-nitride nanowires were employed for two approaches: (i) The development of highly-strained coaxial heterostructures to explore novel optoelectronic and sensing applications; (ii) Exploiting the intrinsic waveguide geometry and electronic properties of gallium nitride nanowires to improve the read-out performance of nitrogen-vacancy centers in diamond.
- Übersetzte Kurzfassung:
- Nanodrähte werden dazu verwendet, um Limitierungen beim epitaktischen Dünnschicht-Wachstum zu überwinden und die Kristallqualität von Halbleitern zu verbessern. In dieser Arbeit wurden Gruppe-III-Nitrid-Nanodrähte für zwei verschiedene Ziele untersucht: (i) Die Entwicklung von hochverspannten koaxialen Heterostrukturen zur Erforschung neuartiger optoelektronischer und sensorischer Anwendungen; (ii) Die Benutzung der natürlichen Wellenleitergeometrie und elektronischen Eigenschaften von Galliumn... »
- Serie / Reihe:
- Selected topics of semiconductor physics and technology
- Bandnummer:
- 213
- ISBN:
- 978-3-946379-13-3
- WWW:
- https://mediatum.ub.tum.de/?id=1436092
- Eingereicht am:
- 28.03.2018
- Mündliche Prüfung:
- 23.07.2018
- Letzte Änderung:
- 20.09.2018
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