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Original title:
High Resolution Probing of Charge Carrier Properties in Semiconductor Device Materials 
Translated title:
Hochauflösende Messung von Ladungsträgereigenschaften in Halbleitermaterialien 
Year:
2019 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Advisor:
Kreupl, Franz (Prof. Dr.) 
Referee:
Kreupl, Franz (Prof. Dr.); Becherer, Markus (Prof. Dr. habil.) 
Language:
en 
Subject group:
ELT Elektrotechnik 
Keywords:
SMM, SCM, Dopant Profiling 
Translated keywords:
SMM, SCM, Dotierprofil 
TUM classification:
ELT 079d 
Abstract:
The downsizing of semiconductor structures predicted in 1965 by Moore's law has been ongoing ever since. This trend has lead semiconductor industry to many innovative solutions, involving reduced gate lengths, ``fins'' and ``surrounded gates'', and new materials such as high-k dielectrics and wide band-gap semiconductors, e.g., silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN). In modern semiconductor devices the entire transistor is built within a few tens to hundreds of nanometers of depth. Thi...    »
 
Translated abstract:
Seit der Formulierung des Moorschen Gesetzes im Jahre 1965 schreitet die Miniaturisierung von Halbleiterstrukturen stetig voran. Dieser Trend zwingt die Halbleiterindustrie zu innovativen Lösungen. Dazu zählen nicht nur reduzierte Kanallängen, sondern auch neue Materialien wie High-k-Dielektrika und Halbleiter mit großer Bandlücke wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). In modernen Halbleiterstrukturen haben ganze Transistoren nur wenige zehn bis hundert Nanometer Tiefe. Daraus ergibt...    »
 
Oral examination:
14.05.2019 
File size:
55258249 bytes 
Pages:
136 
Last change:
02.08.2019