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- Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
- EP000002583322B1
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ, US; FU CHU-CHEN, US; NIAN YIBO, US
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ, US; FU CHU-CHEN, US; NIAN YIBO, US
- Titel:
- MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER
- Anmeldeland:
- EU
- Veröffentlichungsdatum / Patent:
- 05.04.2017
- Jahr:
- 2017
- Seiten/Umfang:
- 47
- Sprache:
- en
- Nachgewiesen in:
- Scopus
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX