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Original title:
Raman investigation of small bandgap semiconductor nanowires
Translated title:
Raman Untersuchung von Halbleiter-Nanodrähten mit kleiner Bandlücke
Author:
Yazji, Sara
Year:
2016
Document type:
Dissertation
Faculty/School:
Fakultät für Physik
Advisor:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.)
Referee:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.); Stutzmann, Martin (Prof. Dr.)
Language:
en
Subject group:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik; TEC Technik, Ingenieurwissenschaften (allgemein)
TUM classification:
TEC 030d; PHY 685d; ELT 300d
Abstract:
In this Thesis, we studied on one hand the modification of the wurtzite InAs E1 gap and of the wurtzite InAs lattice dynamics response of nanowires upon compression with respect to zincblende bulk InAs. On the other hand, we established a novel method for a complete thermoelectric characterization of individual semiconductor nanowires, applying the method to Se–doped InSb nanowires.
Translated abstract:
In dieser Arbeit untersuchten wir einerseits die Änderung der Wurtzit InAs E1 Bandlücke und der Wurtzit InAs Gitterdynamik in Nanodrähten unter Kompression im Vergleich zu Volumenhalbleiter Zinkblende InAs. Außerdem haben wir ein neues Verfahren für eine vollständige thermoelektrische Charakterisierung einzelner Halbleiter-Nanodrähte entwickelt, und dieses Verfahren auf Se-dotierte InSb Nanodrähte angewendet.
Series:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie
Series volume:
199
ISBN:
978-3-941650-99-2
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1285603
Date of submission:
10.12.2015
Oral examination:
28.01.2016
Last change:
06.04.2017
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