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Autor(en):
Chen, Yiran; Li, Hai; Wang, Xiaobin; Zhu, Wenzhong; Xu, Wei; Zhang, Tong 
Titel:
A 130 nm 1.2 V/3.3 V 16 Kb Spin-Transfer Torque Random Access Memory With Nondestructive Self-Reference Sensing Scheme 
Zeitschriftentitel:
IEEE Journal of Solid-State Circuits 
Jahr:
2012 
Band / Volume:
47 
Heft / Issue:
Seitenangaben Beitrag:
560-573 
Verlag / Institution:
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 
E-ISSN:
0018-92001558-173X 
Publikationsdatum:
01.02.2012