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Originaltitel:
GaAs based nanowires on silicon - growth and quantum confinement phenomena 
Übersetzter Titel:
GaAs-basierte Nanodrähte auf Silizium - Fabrikation und quantenmechanische Einschlussphänomene 
Jahr:
2017 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.) 
Gutachter:
Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.); Müller-Buschbaum, Peter (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik; TEC Technik, Ingenieurwissenschaften (allgemein) 
TU-Systematik:
TEC 030d; PHY 685d; ELT 300d 
Kurzfassung:
In this thesis, we investigate the fabrication and characterization of GaAs-based nanowires and their heterostructures with the aim to realize optically highly efficient emitters with one- and zero-dimensional electronic structure. We develop a versatile reverse-reaction growth scheme to produce ultrathin GaAs nanowires with record low diameters down to ∼ 7 nm and identify that crystal defects in the ultrathin 1D-like nanowires act as quantum dot emission centers. 
Übersetzte Kurzfassung:
Im Rahmen dieser Doktorarbeit untersuchen wir die Fabrikation und Charakterisierung von GaAs-basierten Nanodrähten und deren Heterostrukturen, mit dem Ziel hocheffiziente optische Emitter mit einer ein- und nulldimensionalen elektronischen Struktur zur realisieren. Wir entwickeln ein neuartiges und vielseitig anwendbares Wachstumsschema mit welchem wir ultradünne Nanodrahtdurchmesser von ∼ 7 nm erreichen und schlussfolgern, dass Kristalldefekte in den ultradünnen 1D Nanodrähten die Emissionseige...    »
 
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie 
Bandnummer:
202 
ISBN:
978-3-946379-02-7 
Mündliche Prüfung:
23.02.2017 
Letzte Änderung:
22.06.2017