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Original title:
Raman investigation of small bandgap semiconductor nanowires 
Translated title:
Raman Untersuchung von Halbleiter-Nanodrähten mit kleiner Bandlücke 
Year:
2016 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Advisor:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.) 
Referee:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.); Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Language:
en 
Subject group:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik; TEC Technik, Ingenieurwissenschaften (allgemein) 
TUM classification:
TEC 030d; PHY 685d; ELT 300d 
Abstract:
In this Thesis, we studied on one hand the modification of the wurtzite InAs E1 gap and of the wurtzite InAs lattice dynamics response of nanowires upon compression with respect to zincblende bulk InAs. On the other hand, we established a novel method for a complete thermoelectric characterization of individual semiconductor nanowires, applying the method to Se–doped InSb nanowires. 
Translated abstract:
In dieser Arbeit untersuchten wir einerseits die Änderung der Wurtzit InAs E1 Bandlücke und der Wurtzit InAs Gitterdynamik in Nanodrähten unter Kompression im Vergleich zu Volumenhalbleiter Zinkblende InAs. Außerdem haben wir ein neues Verfahren für eine vollständige thermoelektrische Charakterisierung einzelner Halbleiter-Nanodrähte entwickelt, und dieses Verfahren auf Se-dotierte InSb Nanodrähte angewendet. 
Series:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie 
Series volume:
199 
ISBN:
978-3-941650-99-2 
Oral examination:
28.01.2016 
Last change:
06.04.2017