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Originaltitel:
Raman investigation of small bandgap semiconductor nanowires 
Übersetzter Titel:
Raman Untersuchung von Halbleiter-Nanodrähten mit kleiner Bandlücke 
Jahr:
2016 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.); Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik; TEC Technik, Ingenieurwissenschaften (allgemein) 
TU-Systematik:
TEC 030d; PHY 685d; ELT 300d 
Kurzfassung:
In this Thesis, we studied on one hand the modification of the wurtzite InAs E1 gap and of the wurtzite InAs lattice dynamics response of nanowires upon compression with respect to zincblende bulk InAs. On the other hand, we established a novel method for a complete thermoelectric characterization of individual semiconductor nanowires, applying the method to Se–doped InSb nanowires. 
Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit untersuchten wir einerseits die Änderung der Wurtzit InAs E1 Bandlücke und der Wurtzit InAs Gitterdynamik in Nanodrähten unter Kompression im Vergleich zu Volumenhalbleiter Zinkblende InAs. Außerdem haben wir ein neues Verfahren für eine vollständige thermoelektrische Charakterisierung einzelner Halbleiter-Nanodrähte entwickelt, und dieses Verfahren auf Se-dotierte InSb Nanodrähte angewendet. 
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie 
Bandnummer:
199 
ISBN:
978-3-941650-99-2 
Mündliche Prüfung:
28.01.2016 
Letzte Änderung:
06.04.2017