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Original title:
Structural and Electrical Characterization of III-V Semiconductor Nanowires 
Translated title:
Strukturelle und elektrische Charakterisierung von III-V Halbleiter Nanodrähten 
Year:
2015 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Advisor:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.) 
Referee:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.); Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Language:
en 
Subject group:
PHY Physik 
Keywords:
nanowire, structure, electrical transport 
Translated keywords:
Nanodrähte, Strukturuntersuchungen, elektrischer Transport 
TUM classification:
TEC 030d; PHY 685d; ELT 300d 
Abstract:
The aim of this thesis is to investigate the structural and electrical properties of III-arsenide based nanowires (NWs) by a combined analysis of transmission electron microscopy (TEM) and transport experiments in a planar field effect transistor (FET) geometry. For InAs and InGaAs (0.0 < x(Ga) <0.36) NWs, the influence of growth parameters on the resulting microstructure is studied and associated to optical and electrical properties. Additionally, studies correlating growth, microstructure, dopant incorporation and ultimately transport characterization in Si delta-doped GaAs-AlGaAs core-shell NWs were performed. 
Translated abstract:
Das Ziel dieser Arbeit ist es durch Kombination von strukturellen Analysen mit Hilfe der Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und Transportexperimenten in einer planaren Feldeffekttransistor (FET) Geometrie die strukturellen und elektrischen Eigenschaften der III-Arsenid Nanodrähte zu untersuchen. Für InAs und InGaAs (0.0 < x(Ga) <0.36) Nanodrähten wird der Einfluss von Wachstumsparametern auf die resultierende Mikrostruktur untersucht und mit optischen und elektrischen Eigenschaften korreliert. Zusätzlich wird an Si delta-dotierten GaAs-AlGaAs Kern-Hülle Nanodrähten das Wachstum, die Mikrostruktur, der Einbau von Dotieratomen und der elektrische Transport untersucht. 
ISBN:
9783941650916 
Oral examination:
21.07.2015 
Last change:
19.02.2020