Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreis-Arrays mit einer Mehrzahl von nebeneinander und/oder übereinander ausgebildeten Feldeffekttransistoren, – bei dem eine erste Verdrahtungsebene mit mehreren Leiterbahnen und einer Mehrzahl von ersten Source-/Drain-Bereichen der Feldeffekttransistoren gebildet wird; – bei dem die erste Verdrahtungsebene planarisiert wird; – bei dem auf der planarisierten ersten Verdrahtungsebene eine erste Isolationsschicht gebildet wird, – bei dem die erste Isolatorschicht planarisiert wird; – bei dem auf der ersten Isolatorschicht eine Gate-Bereichs-Schicht, welche strukturierte Gate-Bereiche aus elektrisch leitfähigem Material und dazwischen eingebrachtes Isolatormaterial aufweist, gebildet wird; – bei dem die Gate-Bereichs-Schicht planarisiert wird; – bei dem auf der planarisierten Gate-Bereichs-Schicht eine zweite Isolatorschicht gebildet wird; – bei dem die zweite Isolatorschicht planarisiert wird; – bei dem durch die planarisierte zweite Isolatorschicht, die Gate-Bereiche und die planarisierte zweite Isolatorschicht eine Vielzahl von Löchern gebildet wird; – bei dem in jedem der Löcher mindestens ein als Kanal-Bereich dienendes vertikales Nanoelement gebildet wird; – bei dem zwischen dem jeweiligen vertikalen Nanoelement und dem elektrisch leitfähigen Material des Gate-Bereichs elektrisch isolierendes Material als Gate-isolierende Schicht gebildet wird; und – bei dem auf der planarisierten zweiten Isolatorschicht eine zweite Verdrahtungsebene mit mehreren Leiterbahnen und einer Mehrzahl von zweiten Source-/Drain-Bereichen der Feldeffekttransistoren gebildet wird, so dass jedes Nanoelement zwischen der ersten Verdrahtungsebene und der zweiten Verdrahtungsebene angeordnet ist.     «

Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreis-Arrays mit einer Mehrzahl von nebeneinander und/oder übereinander ausgebildeten Feldeffekttransistoren, – bei dem eine erste Verdrahtungsebene mit mehreren Leiterbahnen und einer Mehrzahl von ersten Source-/Drain-Bereichen der Feldeffekttransistoren gebildet wird; – bei dem die erste Verdrahtungsebene planarisiert wird; – bei dem auf der planarisierten ersten Verdrahtungsebene eine erste Isolationsschicht gebildet wird, – bei dem die erste Isolatorsch...     »