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Originaltitel:
Modeling of Leakage Currents in High-k Dielectrics for Future DRAM Application 
Übersetzter Titel:
Modellierung von Leckströmen in high-k Dielektrika für zukünftige DRAM Applikationen 
Jahr:
2015 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.) 
Gutachter:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.); Kreupl, Franz (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
TU-Systematik:
TEC 030d 
Kurzfassung:
In this work, we have investigated the leakage mechanism in high permittivity thin film metal-insulator-metal structures. Employing a novel kinetic Monte Carlo but also a modified drift-diffusion simulator, we analyze the behavior of the leakage current for varying bias and temperature conditions. Once validated, our simulations help us identify the main process responsible for the large reported leaking currents: a multi-step trap assisted tunneling process via oxygen vacancies. Several solutio...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit haben wir die Leckmechanismen von high-k Metall-Isolator-Metall Dünnschichtkondesatoren untersucht.Durch den Einsatz eines neuartigen kinetischen Monte-Carlo aber auch eines modifizierten Drift-Diffusions Simulator wird das Verhalten der Leckströme für unterschiedliche Bias- und Temperaturbedingungen analysiert. Nach der Validierung , helfen unseren Simulationen uns das Hauptmechanismus für die großen Leckströme zu erkennen: ein mehrstufiges Defekte-unterstütztes Tunnelprozess d...    »
 
Mündliche Prüfung:
14.10.2015 
Dateigröße:
10054203 bytes 
Seiten:
207 
Letzte Änderung:
15.04.2016