In keeping with the changing times, the process technology involved in semiconductor fabrication has undergone a major transition from 10 µm minimum feature size to the present 14 nm using conventional photolithography. This thesis focuses on an alternate fabrication process called Nanoimprint Lithography (NIL) which offers advantages of high throughput, low cost and high precision as compared to other fabrication techniques. Selected applications are discussed herein showing NIL as a promising future technology.     «

In keeping with the changing times, the process technology involved in semiconductor fabrication has undergone a major transition from 10 µm minimum feature size to the present 14 nm using conventional photolithography. This thesis focuses on an alternate fabrication process called Nanoimprint Lithography (NIL) which offers advantages of high throughput, low cost and high precision as compared to other fabrication techniques. Selected applications are discussed herein showing NIL as a promising...     »

Prozesse in der Halbleitertechnologie haben im Laufe der Zeit eine rasante Entwicklung durch laufen, um von 10 µm strukturgrößen zu den aktuellen 14 nm zu gelangen. Die hier vorgestellte Arbeit befasst sich mit einem alternativen Verfahren, nähmlich Nanoimprint Lithography (NIL), welches sich im vergleich zu anderen Prozessen durch geringe Kosten sowie hohe Durchsatzraten und Präzision auszeichnet. Die vielversprechenden Möglichkeiten dieser Technologie werden im Rahmen dieser Dissertation anhand von ausgewählten Anwendungen behandelt.     «

Prozesse in der Halbleitertechnologie haben im Laufe der Zeit eine rasante Entwicklung durch laufen, um von 10 µm strukturgrößen zu den aktuellen 14 nm zu gelangen. Die hier vorgestellte Arbeit befasst sich mit einem alternativen Verfahren, nähmlich Nanoimprint Lithography (NIL), welches sich im vergleich zu anderen Prozessen durch geringe Kosten sowie hohe Durchsatzraten und Präzision auszeichnet. Die vielversprechenden Möglichkeiten dieser Technologie werden im Rahmen dieser Dissertation anhan...     »