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Originaltitel:
Charge state control of nitrogen-vacancy centers in diamond 
Übersetzter Titel:
Kontrolle des Ladungszustandes von Stickstoff-Fehlstellen-Komplexen in Diamant 
Jahr:
2014 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Garrido Ariza, José Antonio (Priv.-Doz. Dr.) 
Gutachter:
Garrido Ariza, José Antonio (Priv.-Doz. Dr.); Holleitner, Alexander W. (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Stichworte:
diamond, nitrogen-vacancy, charge state control, in-plane gate FET 
Übersetzte Stichworte:
Diamant, Stickstoff-Fehlstellen-Komplex, Kontrolle des Ladungszustandes, In-plane-gate Transistor 
Kurzfassung:
Charge state control of nitrogen-vacancy (NV) centers in diamond is highly desired for the realization of quantum computers or electric and magnetic field sensors. This work demonstrates new ways of charge state control by change of surface termination or, in more versatile ways, with the help of electrolytic top gates or nanometer-sized in-plane gate structures. The experimental results are supported by simulations based on a theoretical model in which NV charge transition levels are included i...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Die Kontrolle des Ladungszustandes von Stickstoff-Fehlstellen-Komplexen (NV) in Diamant ist unerlässlich bei der Realisierung von Quantencomputern und elektrischen- bzw. Magnetfeldsensoren. Diese Arbeit demonstriert neue Methoden zur Kontrolle des Ladungszustandes durch Änderung der Oberflächenterminierung, mit Hilfe von Elektrolytgattern oder einige Nanometer großer seitlicher Gatterstrukturen. Die experimentellen Ergebnisse werden von Simulationen unterstützt, die auf einem theoretischen Model...    »
 
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie 
Bandnummer:
178 
ISBN:
978-3-941650-78-7 
Mündliche Prüfung:
17.04.2014 
Letzte Änderung:
29.08.2014