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Originaltitel:
Growth of GaAs-based nanowires on silicon for optical applications 
Übersetzter Titel:
Wachstum GaAs-basierter Nanodrähte auf Silizium für optische Anwendungen 
Jahr:
2014 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.) 
Gutachter:
Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.); Stutzmann, Martin (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Kurzfassung:
In this thesis, we investigate the integration of GaAs-based nanowires and their heterostructures on Si using molecular beam epitaxy without external catalyst. We study correlated microstructure-optical property phenomena using transmission electron microscopy and Raman and photoluminescence spectroscopy, respectively. Moreover, we demonstrate control over the nanowire morphology via the design of growth templates and a suitable choice of growth parameters. 
Übersetzte Kurzfassung:
Im Rahmen dieser Doktorarbeit untersuchen wir die Integration von GaAs-basierten Nanodrähten und ihren Heterostrukturen auf Silizium per Molekularstrahlepitaxie ohne Zuhilfenahme externer Katalysatoren. Wir befassen uns mit der Wechselwirkung der mikrostrukturellen und optischen Eigenschaften, welche wir mittels Transmissionselektronenmikroskopie bzw. Raman- und Photolumineszenz-Spektroskopie eruieren. Darüber hinaus zeigen wir, dass die Nanodraht-Morphologie über das Design des Wachstumssubstra...    »
 
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie 
Bandnummer:
176 
ISBN:
978-3-941650-76-3 
Mündliche Prüfung:
05.02.2014 
Letzte Änderung:
15.09.2014