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Original title:
(AlGaIn)(AsPSb)-basierte Heterostrukturen für Lichtemission im Bereich von 1.3-3.5µm
Translated title:
(AlGaIn)(AsPSb)-based heterostructures for light emission in the range of 1.3-3.5µm
Author:
Grasse, Christian
Year:
2014
Document type:
Dissertation
Faculty/School:
Fakultät für Physik
Advisor:
Amann, Markus-Christian (Prof. Dr.)
Referee:
Amann, Markus-Christian (Prof. Dr.); Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.)
Language:
de
Subject group:
PHY Physik
Keywords:
Halbleiterphysik, Laserdiode, InP-basiert
Translated keywords:
Semiconductor physics, laser diode, InP-based
Abstract:
In dieser Arbeit wurden (AlGaIn)(AsPSb)-basierte Heterostrukturen mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) kristallin auf InP-Substraten abgeschieden, strukturell, elektrisch und optisch charakterisiert und in oberflächenemittierende Laser- (VCSEL) bzw. Leuchtdioden (RC-LED) implementiert, so dass eine elektrisch gepumpte Emission im Wellenlängenbereich von 1.3-3.5 µm demonstriert werden konnte. Diese kompakten Bauelemente sind aufgrund ihrer Energieeffizienz für Glasfaser-Datenübertr...     »
Translated abstract:
In this work, (AlGaIn)(AsPSb)-based heterostructures were crystalline grown on InP substrates by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE). To demonstrate electrically pumped emission in the wavelength range from 1.3 µm to 3.5 µm, these structures are implemented into Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSEL) and Resonant-Cavity Light Emitting Diodes (RC-LED). Compact and inexpensive to produce, these devices offer the most power-efficient performance for applications like fiber-based data...     »
Series:
Selected topics of semiconductor physics and technology
Series volume:
180
ISBN:
978-3-941650-80-0
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1142282
Date of submission:
29.04.2013
Oral examination:
18.07.2014
Last change:
17.09.2014
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